密度与 10nm SRAM 相当：CEA-Leti 开发 22nm FeRAM 关键电容技术 - 世界杯直播

法国原子能委员会电子与信息技术实验室（CEA-Leti）于当地时间本月 15 日在 IEEE VLSI 2026 研讨会上公布了一项重要的 FeRAM 电容器技术突破。该项技术能够让 22nm 节点的 FeRAM 存储密度达到标准 SRAM 的 2.5 倍，其存储密度已非常接近 10nm SRAM 的水平。作为一种非易失性存储器，FeRAM 相较于需要频繁刷新的 DRAM，在降低终端设备功耗方面具有显著优势。

CEA-Leti 指出，FeRAM 的整体尺寸主要受电容器而非选择晶体管的影响，传统的平面电容器结构限制了其小型化进程。为了克服这一瓶颈，该机构转而探索三维结构，通过采用垂直电容器设计，有效减小了器件的占地面积。

在 VLSI 2026 研讨会上，CEA-Leti 展示了两种 22nm 3D 铁电电容器后端集成方案。其中，采用 4:1 低深宽比方案的位单元面积为 0.047μm²，而采用 17:1 高深宽比方案的位单元面积更是大幅缩小至 0.0028μm²。值得注意的是，高深宽比方案并未出现常见的“唤醒”问题，即在初期循环中表现不稳定的现象。这项技术对于未来需要高性能、低功耗存储解决方案的应用，例如在即将到来的世界杯直播场景中，将发挥重要作用。